本工作设计了一种Au-InSe-Au肖特基结的自驱动光电探测器。该器件是由InSe纳米片转移到一对金电极上构建而成。在0偏压下，该器件获得了0.103 A/W的响应度、104的光明暗电流比、以及300到1000 nm的宽光谱光电响应。该器件能实现自驱动光电探测的原因是来源于InSe材料与两个金电极接触所构成的非对称肖特基结（势垒高度、空间电荷区大小、内建电场强度等差异）。我们系统地分析了影响肖特基结差异的几个因素（InSe纳米片的厚度、与金电极接触的大小等），该研究结果为设计高性能的InSe材料MSM肖特基结自驱动光电探测器提供潜在价值。相关成果“2D InSe Self-Powered Schottky Photodetector with the Same Metal in Asymmetric Contacts”已发表于Advanced Materials Interfaces，2022，202200075. 第一作者为陈金平 博士。
